飞兆半导体(FaIRchild SemicONductor)宣布收购碳化矽(Silicon Carbide，SiC)功率电晶体供应商TranSiC ，该公司表示，这项收购为飞兆半导体带来具有充分验证之领先效率、可在超广温度范围下有出色性能、以及优於 MOSFET 和JFET技术的卓越性能之双极 SiC 电晶体技术。飞兆半导体同时藉此获取经验丰富的SiC工程师和科学家团队，以及多项 SiC 技术专利。
飞兆半导体技术长Dan Kinzer指出：“凭着SiC技术的高性能表现，功率转换效率可被大大提高。它还提供更高的转换速度，可以缩小的终端系统外形尺寸。碳化矽技术在市场已有一定地位，同时在宽能隙(wide bandgap)领域拥有强大优势，适合需要600V以上电压的应用，并且展现出色的稳健性和可靠性。”
SiC技术的优势还包括：在特定的晶片尺寸下具有较低的导通状态电压降(Voltage Drop)；较高的电流密度、较高的运作温度、极低的热阻抗；只有多数载流子传导，具有超快的开关速度； 采用电流增益范围为100的通常关断运作(off operation)方式，提供简便的驱动解决方案；由於采用正温度系数电阻元件，可以达成简易并联。
另外飞兆半导体指出，SiC元件的阻抗非常接近SiC技术的理论极限，并且成功在25ns的导通和关断时间范围内展示出800V下的50A开关运作；这些元件在长期的全额定偏流和电流应力状况下具有参数稳定性。
这些高增益SiC双极元件适合井下钻探、太阳能变流器、风力变流器、电动及复合动力汽车、工业驱动、UPS和轻轨牵引应用中的高功率转换应用。市场研究机构Yole Development预计，到2020年，这些市场的规模将达到接近10亿美元。
飞兆表示，TranSiC元件具有领先业界的效率，可将成熟的矽技术元件的相关损耗减少达50%，或在相同的损耗条件下，将频率提升达四倍。SiC元件具有显着缩小的尺寸、较少的被动元件，能够降低整体系统成本和提升价值。飞兆正在为目标应用提供最高50A额定电流的1200V初始产品之样品，并将於未来开发具有更高电压和电流范围的产品，继续推动省能工作。
