三星量产80纳米1G芯片大容量廉价内存见光

三星宣布将大量生产80纳米 1GB的DDR2内存芯片。当前1GB 内存芯片的生产工艺为90纳米，尺寸约为11x18 毫米。

　　三星宣布将大量生产80纳米 1GB的DDR2内存芯片。当前1GB 内存芯片的生产工艺为90纳米，尺寸约为11x18 毫米。

　　新的80纳米1GB内存芯片的尺寸为11x11.5 毫米，其物理封装尺寸与512M的90纳米芯片相当。

　　此外，这种尺寸更小的80纳米1GB 内存芯片生产成本更低，这样也会降低整个2GB 和4GB 的DDR2芯片成本。

　　对于内存需求的增长，三星预计“今年全球DRAM市场的市值将达到287 亿美元，并预测到2008年上升到378 亿美元。当前1Gb 的DRAM占据了整个市场份额的8%，但预计到2008年将占到全部DRAM的36%。”

　　现在还不清楚，厂家从生产内存到发布80nm 1GB内存组装部件，到底需要多长时间，但在微软发布Windows Vista 操作系统之前，对该内存的需求不会太高。

　　三星在今年早些时候提到谈到，操作系统变化所将带来的内存需求的增加。