三星DDR2芯片制造工艺全从90纳米过渡到80

据国外媒体报道，全球最大的内存厂商韩国三星电子8月29日（周二）表示，目前已经开始用八十纳米工艺生产1Gb DDR2内存芯片。芯片面积比原先减少了36%。　　 

　　过去，三星电子使用九十纳米工艺生产DDR和DDR2内存芯片。在采用八十纳米工艺之后，不仅可以提高芯片的质量，同时，三星电子可以在同一块晶圆上获得更多内存芯片，从而降低产品价格。　 

　　据三星电子公司称，目前，该公司所有的DDR2内存芯片全部使用了八十纳米工艺。从今年三月份开始，三星电子开始采用八十纳米工艺制造512Mb内存颗粒。　 

　　在国际半导体行业，采用更小的线宽，以及更大的晶圆已经成为一种厂商降低成本，提升竞争力的一种主要模式。