台湾嵌入式非挥发性内存(Embedded Non-Volatile Memory)硅智财领导厂商力旺电子宣布，其嵌入式闪存硅智财NeoFlash除可广泛使用于MCU、消费性电子产品外，近期内已成功实现于触控芯片(Touch Panel Controller IC)与电池容量侦测芯片(Gauge IC)的用户产品上，提供具成本优势之嵌入式闪存解决方案，协助客户降低成本、提升产品竞争力，快速抢得领先契机，目前采用NeoFlash技术的触控芯片与电池容量侦测芯片已进入试产阶段。
近来消费性电子市场逐渐升温，美国消费性电子协会预估全球2011年消费性电子可达9,640亿美元，年成长率为10%，而根据电子时报最新统计分析，单就两岸厂商触控芯片出货量，2011年上半年即较去年同期成长高达237.4%，发展潜力惊人。因应消费性电子产品提高产品效能、降低功耗与缩小尺寸的需求，IC芯片嵌入使用NeoFlash硅智财将可大幅减少耗电量与整机系统产品的成本。以Gauge IC为例，嵌入使用NeoFlash硅智财将可有效存取电池操作模式，记录耗电程度，协助发挥电池之最佳效能，且因制程简化，使其能较传统内嵌式闪存节省至少25%的制造成本。此外，NeoFlash因容量规格涵盖范围广泛(16Kbits~2Mbits)，特别适合智能型手机、平板计算机、微控制器MCU等应用市场，可积极协助客户推出多样化产品，满足客户不同需求。
力旺电子之核心技术NeoBit、NeoFlash与NeoEE具有制程简单、成本低廉与保密性佳的绝对优势。应用端厂商将力旺电子之硅智财产品嵌入芯片后，只需对芯片进行库存管理，不须如传统外挂式闪存进行额外之库存管理，更毋需担心因库存不足或产能受限而延误产品上市时间，能具体缩短开发周期，积极协助客户加速Time to Market之时程。其次，嵌入式硅智财因经过封装，不容易被盗拷，对于重要信息的保存更有保障。而NeoFlash系列硅智财最大操作电压仅需6伏特，且与逻辑制程完全兼容，故使用NeoFlash可将外加之光罩数自一般8至9道缩减至2至3道，更大幅降低制程复杂度与生产成本。
展望未来，预期NeoFlash与NeoEE之营收贡献将渐次发酵，挹注产品营收。自NeoFlash系列硅智财推出迄今，已深获台湾、美国、日本等地客户的高度肯定，目前0.18微米之逻辑与高压制程均已可供量产，而0.13微米与0.11微米则预计于2011年底通过验证与导入量产。
