海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
权五哲对海力士2011年第1季营收情况指出，记忆体晶片的生产及数量虽有增加，但目前承受相当大的价格变动压力。就销售方面来说，应该与2010年第4季没有太大差异。
另一方面，海力士已投入量产30奈米级DRAM，至2011年底前，将提升30奈米制程比例至4成。NANDFlash2011年下半也将完成20奈米产品开发，并计划于2012年投入量产。权五哲表示，2010年已完成38奈米DRAM开发作业，并自2011年第1季进行少量生产，下半年将正式开始供货。
对于日本地震的影响，权五哲透露，日本地震短期来说未对南韩产业造成太大影响，部分日本矽晶圆供应厂位于地震灾区，然因有其他合作晶圆供应厂，且仍维持约45天库存量，暂时未受到影响。供应全球60%以上晶圆的业者中，位于震灾区域的业者占20%，仍不必太担心，然而日本设备业者位于震灾区域，部分设备交货日期可能延后。
外电指出，若?擖诮a震造成零组件货源短缺情况长期化，对日本零组件依存度较高的日本半导体业者及与日本合作的台湾业者所受影响，将较南韩业者更大，部分台湾业者可能因零组件短缺长期化，使得赤字幅度扩大。权五哲表示，虽然在这样的情况下，海力士可趁机提升市占率，然而海力士仍将依照原计划，长期渐进地提升市占率。
此外，对于海力士贷款部分，权五哲表示，没有执着在数字上，若能依照事业计划稳定发展，将可望缩减6,000亿韩元(约5.39亿美元)负债。
