据台媒报道，台积电旗下创投VTAF公司投资的美国LED大厂普瑞光电于3月25日宣布，该公司运用“氮化镓上矽”（GaN-On-Silicon）的LED技术，已达成每瓦135流明之效能。这代表普瑞光电在矽半导体基板LED技术方面，已成为业界第1家达到商品化等级效能的厂商。
普瑞光电指出，转向矽基板的技术突破，将为LED产业带来革命性的进展。该公司并有信心成为导入、运用此技术的领导厂商。根据普瑞光电研究，氮化镓上矽LED的效能，足以媲美12至24个月前推出的顶级蓝宝石基板LED。预估未来2至3年内，应用于商业市场的氮化镓上矽LED产品，就能上市销售。
目前LED磊晶生成大多系采用蓝宝石基板或碳化矽基板材料。但大直径的蓝宝石基板与碳化矽基板成本较高，并且加工困难，货源亦不易取得，导致以蓝宝石基板和碳化矽基板生产的LED照明产品，迄今尚无法普及到住宅与商业建筑等领域。
不过，普瑞光电认为，若能在直径更大、成本较低廉的矽晶圆上生成氮化镓，并采用与现代半导体生产线相容的制程，则LED磊晶产品之成本，可望将较现有制程有效降低75%。
这次普瑞光电运用氮化镓上矽（GaN-On-Silicon）LED技术达成每瓦135流明之效能，是采用350mA电流的1.5mmLED，其相对色温CCT为4730K。这些LED只需要极低的运作电压、2.90伏特，就可以在350mA环境下运作。若在1安培电流下，更仅需小于3.25伏特的电压。
由于这些元件具备极低的顺向电压，及优异的热阻特性，因此适用于各种高效能的照明及应用。而优化的磊晶制程针对8吋矽晶圆，将使LED的制程能相容于现行的自动半导体生产线。
普瑞光电采用轻资产营运模式，主要系运用本身在LED磊晶领域的研发既入基础与智慧财产资源，和伙伴厂商合作生产各种矽基LED。为了扩大量产新技术LED，公司目前正和多家著名半导体厂商洽谈，计画将运用全球各地已折旧的8吋晶圆厂及其制程??，来生产LED。
普瑞光电执行长Bill Watkins表示，矽基LED技术将可大幅降低固态照明的成本结构，为固态照明领域厂商省下大笔的初期投资资金。预期只需2到3年内，即使是对价格最敏感的市场，例如商务与办公室照明、住宅应用以及换新灯具等，都将极快速地转型成固态照明产品。
