“我们的多款LTE基站功率放大器已被主流通信设备厂商采用，并已投入到中国运营商的大规模试商用中。”恩智浦半导体高性能RF产品线RF功率及基站产品国际营销经理潘璠在IIC展台无限自豪地对本刊记者表示。
作为LDMOS功率放大器的后来居上者，NXP在基站功率放大器市场的份额迅速提升，特别是赶上了中国运营商大规模建网的好时机。当然，这主要得归功于他们的产品在能效上的明显优势，正好满足了运营商绿色基站的需求。比如此次展会上，他们推出的一款针对2.1GHz WCDMA的ASM-Doherty射频功率放大器——BLF7G22LS-130/200，通过Polar跟踪和Doherty+预失真的方式大幅提升效率，在80W的平均输出功率上，效率可达48%。
另一款针对A+F双频段的TD-SCDMA射频功率放大器——21LS-160P，也已成为中移动基站中的主流产品，一个器件实现Doherty，具有高集成度低成本优势。在22W的平均输出功率上效率可达42%。
针对2.1GHz WCDMA/LTE的基站射频功放——3xBLF7G22LS-160，采用了NXP专利的3路Doherty技术，效率达48%以上。
如果说过去两年是NXP在射频功放市场由弱至强的两年，那么未来随着射频功放向LTE/4G的高频发展，NXP的优势就会更加明显。“我们在1.8Ghz的产品上很有信心；在2.3G-2.4G的产品中具有较强的节能优势；而在3.8Ghz以上的市场基本上就没有对手了。”潘璠信心十足地表示。
此次，他们展示了一款频率为2.5-2.7Ghz，针对LTE、TD-LTE和WiMAX的基站功率放大器——BLFG27LS-90P，同样采用了高集成度的单器件Doherty技术，在18W的平均输出效率上，效率大于42%。另一款针对2.1GHz WCDMA/LTE的基站射频功放——3xBLF7G22LS-160，则是采用了NXP专利的3路Doherty技术，效率达48%以上，具有16dB的高增益。“该器件采用了OFDM和64QAM调制方式，具有较高的峰值功率。经大批量生产验证，具有很好的一致性和高可靠性。” 潘璠说道。
在LDMOS市场获得成功后，NXP下一步将会推氮化镓工艺的射频功放。“随着开关技术成熟后，可以更好地发挥氮化镓的高密度与高频率特性，我们预计这种新工艺的PA在2013/2014年可以商用。”潘璠对本刊记者透露。
