据国外报道，LED照明主要依赖于氮化镓薄膜的发光二极管。北卡罗莱纳州立大学发现了一种新的技术，这项技术能将把薄膜中的缺陷降低2~3个数量级。这将提高发光材料的质量，因此，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的LED而言，这种增长是非常可观的。
北卡罗莱纳州立大学Bedair教授和Nadia El-Masry教授的实验是将2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到长2微米宽，0.5微米的空间间隙。研究人员在实验影像中发现，许多缺陷会被吸引并困在这些空隙空间里。这使得空隙空间上减少了许多缺陷。因此，他们有效的在薄膜中放置一些空隙空间后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。
另据了解，如果没有这个空隙技术，每平方厘米的氮化镓薄膜将会有大约1010个缺陷。然而使用了这个技术后，每平方厘米的缺陷将会降到大约107。Bedair教授表示，“虽然这种技术将增加一个额外的制造步骤，但它会制造出更高质量、更有效的发光二极管。”
