在近日于美国加州举行的IEEE国际电子组件会议(IEDM)上，英特尔(Intel)与美光(Micron)的 NAND闪存合资公司IM Flash ，揭露了更多有关于其25纳米制程技术的细节，并公布了一个大惊喜：该公司已经领先全球，在其商用芯片产品首度采用气隙(air-gap)技术。
IM Flash的25纳米制程NAND组件已经出货，但却没有公开其采用气隙技术；据了解，气隙是做为电介质使用。气隙技术的使用让IM Flash打败众家竞争厂商，包括IBM等其它业者虽然也曾发表过气隙技术研发成果，但Chipworks分析师Dick James表示：“这是气隙技术第一次的商业化应用。”
在IEDM所发表的一篇论文中，英特尔与美光探讨了一款 64Gb MLC组件，其内存单元的半间距(half-pitch)，在字符线(word line，WL)方向为24.5纳米，在位线(bit line，BL)方向为28.5纳米，内存单元尺寸为0.0028μm2。
该论文内容指出，此内存单元是利用湿式193纳米微影，以先进的间距缩减(pitch reducTION )技术来制图，将边线平整度(line edge roughness)与线宽变异(CD variation)做了最佳化：“在25纳米节点，5%的CD变异代表小于3个硅晶格；AA沟槽深度无法显着微缩，是因为在抑制(inhibit)的程序中需要小于6V的绝缘电压，以产生长宽比7:1的STI沟槽。”
“任何会导致AA弯曲的结构不平衡，会导致通道 (channel)的位移；每3纳米的CD偏置，会导致至少10纳米的位移；”该论文指出：“对结构性弯曲的控制，是为NAND数组中的内存单元达成良好电气分布(electrical distributions)之关键，对字符线间距的积极微缩，可增加字符线与字符线之间的电容量，也会增加内存单元与单元之间的干扰。”
论文中最令人惊讶的地方就在于：“透过在字符线之间加入气隙，解决了以上问题；在位线之间也使用了气隙…”
