2010年在半导体存储器业界，各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此，市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008～2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现了小幅下跌。然而，进入2010年下半年后，以DRAM为中心、价格呈现出大幅下降的趋势。2011年很有可能再次进入残酷的实力消耗战。技术方面，微细化竞争愈演愈烈，以突破现有存储器极限为目标的新存储器的开发也越来越活跃。
象征着半导体存储器业界的设备投资出现恢复迹象的，是东芝开工建设NAND闪存新工厂。东芝预定2009年春季开工建设的“Fab5”延期很久之后，终于定于2010年7月开始动工。该工厂为东芝与美国晟碟(SanDisk)对半出资，最快将于2011年夏季投入使用。决定建设该工厂是因为，随着智能手机和平板终端等新应用的出现，预计NAND闪存的需求将长期大幅增长。韩国三星电子及韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)等竞争企业也相继进行了NAND闪存的增产投资。
NAND闪存的微细化竞争从2010年开始进入了2Xnm工艺。在2Xnm工艺闪存的量产中先行一步的是美国美光科技(Micron Technology)与英特尔的合资企业。尽管两家公司涉足NAND闪存较晚，但通过果断采取微细化战略，目前已经领先于其他公司。三星、海力士以及东芝与晟碟的合资企业紧随其后，也开始量产2Xnm工艺闪存，形成了四分天下的格局。NAND闪存在1Xnm左右工艺中即将达到微细化极限，各公司纷纷开始加速开发“后NAND”。东芝计划在动工建设的Fab5中，在第二期开始量产后NAND。
2008～2009年，DRAM厂商全部出现大幅亏损，随着供需平衡的改善，2010年上半年出现明显改善。尔必达存储器2010年4～6月的销售额和营业利润均创下了单季度历史最高记录。在这种背景下，各公司开始进行增产。进入2010年下半年后，价格随之转为下降，各厂商的出色业绩开始笼罩上一层阴影。
目前，DRAM厂商的主战场是个人电脑，今后还将包括智能手机和平板终端。2010年是这一趋势逐渐明确的一年。各厂商均推出了用于这些用途的低功耗DRAM产品。
DRAM的微细化竞争在2010年进入了3Xnm工艺。量产方面，三星与尔必达存储器已领先于其他公司。针对2Xnm以下的微细化极限，DRAM厂商与NAND闪存厂商一样、开始致力于新存储器的开发。比如，尔必达存储器联手夏普、东京大学及产业技术综合研究所，共同进行Gbit级可变电阻式存储器(ReRAM)的开发。
