IDT公司收购了Mobius Microsystems公司后，大大加强了全硅 CMOS 振荡器产品线，扩展了 IDT 在计时领域的领先地位。日前，IDT推出业界精度最高的创新产品全硅 CMOS 振荡器，该产品在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。
IDT硅频率控制业务总经理Michael McCorquodale介绍说，型号为IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。IDT3C02 振荡器可产生高精度的片上频率，而无需依赖压电或机械谐振器。该器件支持标准的现成可用的 CMOS 工艺，采用了可编程架构，支持各种配置选项，以适应广泛的应用范围。这些选项中最为关键的是工厂可编程的工作频率，与传统的石英解决方案相比，有助于缩短交货时间，包括特殊或罕见的频率。
此外，IDT3C02 振荡器采用一个独特的模拟核设计，其功耗低于 2.5mA（空载典型值），从而为基于石英和 PLL 的高频率振荡器提供了一种低功耗替代解决方案，同时在 1MHz 载波偏移条件下实现了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪声。特别是采用了公司专利的晶圆制程技术，大大提高了CMOS振荡器工作的可靠性。该器件采用完全符合业界标准的 5mm×3.2mm 石英晶体兼容封装，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封装，无需陶瓷密封的封装。
IDT3C02 还具有 200nA（典型值）的低功耗待机模式，以及 100μs（典型值）的快速启动时间。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计，允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。由于该器件不包含任何运动元件，且不使用机械或压电电子谐振来产生电子频率，全硅的单片方案实现了优良的耐冲击和振动能力。可用于下一代存储、数据通信和连接接口，如千兆以太网、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express等应用。
Michael McCorquodale表示，IDT的目标是用CMOS 振荡器替代石英晶体的振荡器。IDT3C02振荡器凭借100ppm 总频率误差以及低功耗、低抖动等优势是替代石英晶体的振荡器的一个理想选择。
Michael McCorquodale强调，IDT明年还将研发出精度更高、总频率误差为50ppm的全硅CMOS 振荡器。
