三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于2011年下半开始优先量产闪存。
2010年5月在三星会长李健熙的参与下，华城厂16产线正式动工。包含建筑物费用等将阶段性投入12兆韩元进行建设。三星半导体16产线以12吋晶圆为基准，每月最大产能可达20万片以上。
三星将优先在16产线进行闪存生产作业，是因为近来计算机需求萎靡，且进入第3季后DRAM价格持续下跌，而闪存则搭上智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)畅销热潮，需求也随之增加。
海力士(Hynix)曾对外表示2011年DRAM产能将维持与2010年相同水平，仅在微细制程转换上进行投资。然而至2010年底月产能约8万片的清州闪存专用M11产线，仍将于2011年扩大产能至12万片，也是为呼应此市场趋势。
三星目前运用华城厂14产线及美国德州奥斯汀厂生产12吋晶圆制造闪存，华城厂12产线则混合生产DRAM和闪存。此外三星在器兴厂的9产线则以8吋晶圆量产快?{内存。
南韩业界相关人员表示，若三星将既有的闪存产线转换成微细电路制程，约可创造50~60%的位成长率(BitGrowth)，但?T星2011年达到80%位成长率的目标，在执行面上则有困难。因此势必将目前兴建中的16产线转生产闪存，才可能达到80%的目标值。
