近年来芯片制造工艺在不断进步，处理器方面已经全面迈入32nm时代，而内存方面步伐更是迅速，以三星为首的厂商已经推进到30nm制程。新工艺让电子产品功耗、发热量能够控制的更低，同时还可以降低生产成本。
最近，处理器行业老大英特尔联手三星和东芝，着手准备在2016年前将半导体工艺制程提升到10nm级别。
目前，在闪存芯片制造业中，三星和东芝是前两大制造商，工艺方面也远远领先于其他竞争对手。Intel看重其规模与影响力，才开始建立这种“强强”联盟。除此之外，还有10家半导体领域企业会参加联盟。
据相关资料显示，研发项目预计需要高达100亿日元的启动资金，日本经济产业省很有可能会为其提供50亿日元，其他资金需要联盟成员共同承担。
项目研发成功后，三星与东芝将会用10nm工艺来制造NAND闪存芯片，而Intel方面则会用来生产新的处理器。
