DRAM大厂力晶自结9月营收新台币75.19亿元，较上月88.88亿元减少15%，累计前9月营收为675亿元；力晶发言人谭仲民表示，9月营收下滑主要是受到DRAM现货价疲软的影响，随著12寸晶圆厂代工业务的需求和报价回稳，标准型DRAM制程技术也逐渐转进尔必达63纳米制程，未来成本可望进一步下降。
受到DRAM现货价和合约价大幅下修的影响，DRAM厂9月营收除了华亚科受惠50纳米制程大量转换成功之赐，而逆势成长之外，其它各厂营收都呈现下滑趋势，包括力晶、瑞晶、南亚科、茂德等9月营收都难逃衰退命运。
力晶9月营收下滑15%，主要是反应9月现货价格下跌，大陆十一长假之前的预期补货需求落空，个人计算机(PC)终端需求也不如预期顺利，消费性换机潮和企业换机潮都没有明显发酵，使得DRAM价格一路下跌，加上新台币升值问题，都冲击DRAM厂9月营收表现。
力晶目前的因应之策，是尽早转进63纳米制程技术，预计成本可再较65纳米制程下滑20%，目前已积极添购浸润式曝光机台(ImmersionScanner)，加速制程转换的时间，以进一步降低成本且提升营运竞争力。
力晶上半年税前获利为425亿元，每股盈余1.88元，公司自结9月营收为75.19亿元，较上月88.88亿元减少15%，终结自从2010年2月以来，营收一直呈现上涨的走势，累计前9月营收为675亿元，第3季虽然DRAM价格下跌，看市场对于力晶第3季获利仍是寄予厚望，预计力晶和瑞晶第3季财报会是台系DRAM厂中，少数获利的业者。
力晶对于2010年的资本支出规划约新台币120亿元，其中70%支出都用于转换至63纳米制程的费用，剩下30%支出是为未来转换至45纳米制程做准备，2011年力晶45纳米制程量产后，可赶上2Gb产品荣登主流的热潮。
除了标准型DRAM产品之外，力晶代工产能还包括利基型存储器(SDRM)、NANDFlash产品等，其中NANDFlash芯片技术是技转自日系大厂瑞萨(Renesas)AG-ANDFlash架构，之前瑞萨决定在90纳米制程之后放弃NANDFlash产品，之后由力晶接手，下半年力晶将朝高容量发展，包括利用40纳米制程生产16Gb产品。
