RFMicroDevices,Inc.(RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容，并开始为FoundryServices事业部的客户提供全套的砷化镓pHEMT技术。
RFMD将提供针对高功率、低噪声和RF切换产品而最佳化的三种不同GaAspHEMT技术。RFMD的0.3微米pHEMT技术可提供高功率，并针对X-band相位式数组功率放大器(PA)和8-16GHz的宽带军事电子战干扰器而最佳化。
RFMD的0.25微米pHEMT技术可提供低噪声、中功率、高线性度，锁定之应用包括低噪声前端和发射器MMIC。0.6微米pHEMT技术则提供低噪声和射频讯号高线性切换，是专为无线前端和发射/接收模块应用而设计。
RFMD目前提供FoundryServices的客户北卡罗来纳州格林斯博罗晶圆厂的两项RFMD的氮化镓(GaN)制程技术，分别为锁定高功率应用的GaN1与锁定高线性度应用的GaN2。RFMD并提供一个整合式被动组件(IPC)技术最佳化来配合高功率应用。RFMD的先进GaAspHEMT技术与其氮化镓技术，和其它电源半导体技术互补，以设计多芯片模块(MCM)。
RFMDFoundryServices事业部的成立，旨在为外部晶圆代工客户提供实时的高可靠性、高性能和具价格竞争力的制程制程技术。所有的制程技术都是由RFMD位于英国的NewtonAycliffe厂制造，让RFMDFoundryServices客户可透过简易的欧洲进/出口管制，取得欧洲技术的方式。
