最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，最先进的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。
今天我们得到最新消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。
据了解，尔必达这种颗粒最高支持DDR3-1866频率，可以在1.35V低电压下实现1600MHz频率。同时，其工作电流相比同厂40nm产品工作电流降低15%，待机电流下降10%。
尔必达声称该内存颗粒是目前世界上体积最小的产品，相比40nm产品，每块晶圆的产出量要增加45%，能够大大降低生产成本。
赛迪观点：
尔必达这款DDR3 2G内存颗粒将于今年12月份量产，未来还会将30nm工艺引进到其他存储产品当中去。最近内存芯片厂商的工艺步伐明显加快，在如今各种数码产品风靡的时代对存储需求也逐渐增多，产能与成本面临着更大的挑战。新工艺能够为厂商带来更多的经济效益，也会让产品性能明显提高，是未来的发展趋势。
