美光科技公司(Micron Technology Inc.)和英特尔公司(Intel Corporation)今天联合推出25纳米(nm)制程的3-bit-per-cell(3bpc)NAND闪存，该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。
与竞争对手USB、SD(Secure Digital)闪存卡和消费电子产品相比，新推出的25nm 64Gb 3bpc存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备(数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑)之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。
由双方合资组建的NAND闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT)所开发的这项64Gb(或8GB)25nm光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。
该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的25nm MLC(多层存储单元)相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个8GB设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米，符合行业标准TSOP(薄型小尺寸封装)封装。
美光NAND解决方案事业部副总裁Brian Shirley说：“鉴于NAND闪存对消费电子产品的重要性日益显着，我们将及早向25nm TLC过渡视为不断扩大NAND存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括Lexar Media(雷克沙)和美光的更高容量终端产品的设计，来打造符合要求的8GB TLC NAND闪存产品。”
英特尔副总裁兼NAND解决方案事业部总经理Tom Rampone表示：“自业界尺寸最小的25nm芯片在1月问世，25nm 3bpc产品也紧随其后，我们将继续加速向前发展，为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel计划在新推出的8GB TLC 25nm NAND设备的基础上，利用IMFT在设计和制造上的优势，为我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”
