上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。
宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸，其卓越的性能还能支持最大到16Mbit的SoC设计，在业内十分具有竞争力。
这一最小的单元同时还满足了编程效率高和无过度擦除的需求，能让系统设计师设计出更具竞争优势的嵌入式闪存单元。此新技术还具有极高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。
宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程为客户提供了两种解决方案。Dual-gate特别适合SIM card的客户，由于其光罩层数少，模块尺寸小等优势，在市场上已经成为性价比最高的解决方案。而Triple-gate适用于通用和低压产品，应用范围广泛，包括MCU、U盘、智能卡以及汽车电子市场。
宏力半导体经过大量生产验证的0.13微米嵌入式闪存制程与其0.13微米通用和低压逻辑制程完全匹配，因此易于迁移。对客户而言，良好的兼容特性保证了现有的标准单元库和IP能够与新制程无缝衔接。
“自2008年起，宏力半导体已经生产了成千上万片0.18微米的嵌入式闪存晶圆，极小的单元尺寸和极少的光罩数，在业内极具优势，也让宏力半导体宏力迅速在智能卡市场占据了份额。与此同时，我们还始终保持着95%以上的良率，因而赢得了客户对我们的信赖。” 宏力半导体销售市场服务单位资深副总卫彼得博士表示，“宏力半导体将于今年年底完成基于0.13微米节点的单元缩小的研发工作，这个全新且极具竞争力的嵌入式闪存制程将针对高容量的产品应用。”
