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Intel和美光25nm工艺3-bit闪存即将面世

    从Intel泄露的Roadmap图中可以看到,Intel和美光的3-bit的企业级MLC闪存产品已经进入实验阶段了。

    一般而言以相同制程技术来设计3-bit MLC的单位芯片面积,约可比2-bit MLC的面积再缩小约20-30%以上,因此理论上相同容量的3-bit MLC单位芯片生产成本将会比2-bit MLC低,不过由于3-bit MLC的设计复杂度比2-bit MLC高,所以良品率及性能参数等方面要略逊于后者。

    曝光的两款64GB样品采用了25nm工艺制程,其尺寸仅为131平方毫米,相比目前64GB的产品要小20%左右,据Intel与美光透露,这也是世界上体积最小、密度最高的闪存颗粒。

    MLC闪存的特点在于容量比较大,但在速度、读写耐久性等方面要明显弱于SLC。不过随着技术的不断进步,这些缺点在不断改进中。

    一直以来,行业内都是通过设计更好的控制器来解决MLC在读写次数和性能方面的不足。最近,STEC公布了最新的CellCare和安全技术。美光也提到了企业级闪存在Nimbus Data的存储系统中应用情况,此外还有Intel的X25-E高速固态硬盘也应用了最新技术。

    英特尔和美光表示,他们在二月份已经开始使用25nm技术试验2bit MLC产品了。在去年的八月份已经拥有了34nm技术的3-bit MLC,但其可靠性仅能够保障USB驱动器使用。美光在之后也已经开始试验该产品了。六个月后他们重新开始试验3-bit MLC,所以这个产品改动还是比较大的。

 

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