安森美半导体公司（ON Semiconductor）近日宣布了一项新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这项新工艺是该公司增强既有的HighQ硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5μm，增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，可用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。
HighQ IPD2工艺采用8英寸晶圆技术，典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势，例如，降低成本、减小厚度、减小占位面积，获得更高性能(等同于延长电池使用时间)。
该公司为IPD2工艺技术提供了全功能设计工具和设计支援，以及快速的原型制造能力，可以帮助潜在用户快速和高性价比地评估原有的IPD是否适合转换至IPD2工艺，不管是复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的方案。
