在最近召开的SemiCon West产业会议上， Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示，公司将在纽约Fab8工厂建成后马上开始在这家工厂部署EUV光刻设备，按之前 Global Foundries公布的计划，这个时间点大概是在2012年下半年，与之巧合的是，光刻设备厂商ASML公司也将于这个时间点开始上市EUV光刻设备。
ASML的EUV Alpha demo tool光刻演示设备
由于IBM/AMD/Global Foundries一直鼎立支持EUV光刻技术，他们过去也曾经试用过ASML的Alpha EUV光刻试验机，因此将来他们应用起EUV技术来应该不会遇上太大的困难。另外 Bartlett还表示Global Foundries公司将于2015年正式启用EUV光刻设备进行批量生产。考虑到Global Foundries的计划显示今年底明年初他们将推出32/28nm制程产品，这样大致估算起来，32/28nm制程启用后大约两年，我们就可以看到 Global Foundries 22nm制程产品的上市，22nm之后再过两年，则是使用EUV光刻技术的15nm制程产品上市。
另一个令人关心的问题是，到2015年，也许晶圆的尺寸也已经从现在的300mm发展到450nm直径了，不过在Bartlett的讲话中并没有提及这方面的信息。不管怎么样，围绕在EUV光刻何时能投入实用的问题我们已经得到了确切的答案。
相比之下，Global Foundries的对手Intel曾计划在22nm制程节点启用EUV光刻设备，不过他们后来的计划有所变化，称将把193nm沉浸式光刻技术沿用到15nm制程乃至11nm制程节点；而其另一大对手台积电则表示会将EUV设备使用在20nm制程节点的产品中。
注：现有的193nm沉浸式光刻机（以同样产自ASML的TWINSCAN NXT-1950i沉浸式光刻机为例）的光波波长为193nm，数值孔径值NA为1.35；而ASML的EUV Alpha试验机使用的光波波长则为13.5nm，数值孔径值NA则为0.25.
