日本的SiC功率半导体元件（以下简称功率元件）业务开始全面启动。集结产官学力量，使日本获得该领域主导权的举动越来越活跃。
SiC是继现有硅之后的新一代功率半导体的一种。特点是与硅功率元件相比，可以大幅削减逆变器和转换器等功率转换器的功率损耗。因此，全球都在积极研发SiC功率半导体元件。
在日本企业中，罗姆对SiC业务比较积极。该公司在日本企业中率先开始量产SiC功率元件，已从2010年4月下旬开始量产供货耐压为600V、输出电流为10A的SiC制肖特基势垒二极管（SBD）“SCS110A系列”。迄今为止，世界上已有德国英飞凌科技（InfineonTechnologiesAG）、意法合资的意法半导体（STMicroelectronics）以及美国Cree等欧美企业投产了SiC功率元件。
罗姆以外的日本企业也在计划开展SiC功率元件业务。例如，新日本无线和三菱电机分别计划在2010年10月前后和2011年度内量产SiC制SBD。东芝和富士电机元件科技等正在快速推进旨在使SiC功率元件实现实用化的研发工作。
对于制造SiC功率元件时不可缺少的SiC底板，日本企业也在积极对应。例如，新日本制铁已从2009年4月开始投产口径为4英寸的SiC底板。罗姆在2009年收购了德国SiC底板厂商SiCrystal，稳定采购底板已有眉目。此前SiC底板一直由欧美企业垄断，尤其是美国Cree公司。
不仅是日本企业，日本经济产业省也陆续出台了扶持SiC业务发展的政策。例如，日本经济产业省将从2010年度起开展“旨在实现低碳社会的新材料功率半导体项目”活动。这是一个为期五年的项目，第一年度的预算为20亿日元。此外，还成立了旨在广泛集结与SiC相关企业和大学等机构的“SiC联盟”组织。该联盟的目的是统管产官学各自进行的所有SiC研发活动，以实现相互合作。
日本产官学的团结一致是否可以使日本掌握SiC功率元件领域的主导权？2010年到2011年推出的各项措施将成为实现这一目标的关键。
