日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP)，台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21)日举行TSV三方技术合作记者会，力成董事长蔡笃恭表示，电子产品逐渐朝轻薄短小趋势走，3DIC堆栈技术已成市场主流，并可兼具高效能与低功耗的双重利益，虽然短期内仍看不到该技术对各厂营收之贡献，但只要技术能及早到达成熟阶段，市场需求自然就会浮现。
联电方面则预估，2012年应用在3DIC上的制程技术TSV(Through-SiliconVia，直通硅晶穿孔)在28奈米制程就会开始有机会进入量产阶段，初期产品可能会用在手机领域上。
蔡笃恭表示，3DIC与TSV技术之整合完全符合力成业务与技术上的策略，目前力成在Flash封装上已能达到堆栈8个晶方的水平，可应用在智能型手机产品上，目前力成仍加紧脚步，致力开发16晶方及以上之堆栈技术，维持低封装组合。
蔡笃恭强调，事实上力成早在2007年起就开始为逻辑客户开发SIP(SystemInaPackage，系统级封装)，以WireBonding(打线接合)与SMT(表面黏着技术)的封装技术组成包括FCCSP(晶圆级封装)、FlipChip(覆晶封装)与被动组件封装方式。
不过，蔡笃恭表示，SIP技术仍有功耗与效能表现的瓶颈所在，因此TSV技术能有效解决这个问题，藉由联电与尔必达各别在逻辑与DRAM晶圆生产与研发上的领先地位，加上力成过去就有的DRAM/Flash封装与SIP技术，将能成为最佳研发TSV技术的组合，未来该制程技术发展成熟后，力成将可为客户提供最完整的SIP解决方案。
由于电子产品加速朝轻薄短小的方向发展，再加上便利携带与长效待机的功能需求逐渐成为市场主流，因此主控电子产品的IC芯片便不断朝向轻薄短小的趋势发展，由于SOC(整合单芯片)研发与后段封装技术上难度较高，因此便有业者积极研发SIP封装技术，而目前逻辑IC封测厂也早已切入此技术，其中日月光(2311-TW)更是很早就投入资金卡位，希望能加速缩小芯片尺寸，并在市场上占有一席之地。
三家合作将能撷取各家优势，尔必达是市场上最早开发出将3DTSV技术应用在8颗DRAM产品上，力成则是早在2007年就开发出SIP的完整解决方案，因此三方结合将能加速3DIC的发展速度，蔡笃恭强调，外界可能好奇市场何时成熟，何时对相关厂商业绩有益，但此重要性并没有比技术发展至成熟阶段来得强烈，目前市场需求确实存在，技术也将朝此方向发展，因此目前应以技术到位为主要目标，及早在产业尚卡好优势位置，未来才可望抢攻这波商机。
