高性能同步器件在统一封装中堆栈 2 个 NexFET MOSFET可支持高电流、多相位 POL 应用 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。
CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势：
5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%；
可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率，与同类竞争器件相比，效率高 2%，功率损耗低 20 %；
与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍；
底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。
供货与价格情况
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外，样片与评估板也已同步开始提供。
