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现代意法160亿合建无锡芯片工厂 将年底投产

      继2004年11月16日签订合资建厂协议后,4月28日,意法半导体与韩国现代半导体(也称为海力士半导体)在江苏无锡举行了存储器芯片前端制造厂的奠基典礼。

  合资厂计划总投资20亿美元(约合165.3亿人民币),合资双方以股本形式进行融资(现代半导体67%,意法半导体 33%),意法半导体还将提供2.5亿美元长期借贷,此外,中国当地的金融机构还将提供债务和长期租赁形式的融资组合方案。2005年,意法半导体和现代半导体的股本投资预计达到大约3.75亿美元,投资比例为1/3 对 2/3。

  今年年底以前,预计一条8英寸生产线开始生产,在生产初期,先将制造工艺从目前现代半导体位于韩国的制造厂稳定地转移到新厂。不久之后,一条12英寸的芯片生产线将会在2006年年底开始生产。每条生产线都将会增强两家公司的世界一流的制造能力,可令双方在世界上增长最快的半导体及电子产品市场上获得极具成本竞争力的制造能力。

  目前中国市场大约占全球半导体市场的15%,据推算,该市场在2008年以前年增长率将会达到20%。

  新的芯片制造厂将制造DRAM存储器和NAND闪存芯片,这个合资企业是ST与现代半导体的成功合作关系的合理延伸,它将使合资双方率先进入快速增长的中国市场,还将使ST能够更好地满足特别是通信和消费电子市场领域重要客户的需求,为他们提供完整的存储器、多媒体处理器和单封装的系统解决方案,以及先进的技术和成本效益型产品。特别是,新的芯片制造厂能够让ST使用低成本、高性能的DRAM,从而进一步提高在MCP(多片封装)堆叠式存储器和SiP(系统级封装)解决方案上的全球领先水平。

  新的合资公司预计将是现代半导体维持其长久竞争力的坚实基础,因为新公司将利用最少的资本确保12英寸制造设施的量产,采用一个具有成本效益的制造环境,以维持其在快速增长的中国市场的领先水平,新制造厂还将是现代半导体解决贸易问题(包括该公司产品在欧美市场被征收的反倾销税)的又一个全球制造设施。

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