如业界预期，三星电子(Samsung Electronics)于前宣布将加码资本支出，以提升该公司的半导体与平面显示器制造产能。
根据三星所发表的声明，该公司2010年资本支出总额将达到18兆韩圜(约157亿 美元)水准，其中8兆韩圜(70亿美元)将用于研发。此外三星的声明也指出，随着投资新生产线，该公司预期在2010年新招募1万名员工，其中有 3,000人属于半导体业务、4,000人属于LCD业务。
先前三星透露该公司今年资本支出总额将至少达到8.5兆韩圜(74亿美元)的资本支 出，而新计画则是光半导体产能的资本支出就高达11兆韩圜(96亿美元)，LCD制造部分的支出规模则为5兆韩圜(43亿美元)。
“尽管全球经济环境与商业状况仍然具变动性与不确定性，而如果我们积极扩增产能，仍 意味着三星未来有取得进一步成长的机会。”三星总裁Kun-Hee Lee在一份声明中表示。
三星近日也举行了一座新内存芯片制造厂的动土典礼，该Line-16厂房位于韩国京 畿道华城的Nano City Complex园区，预计2011年开始量产，总造价估计为12兆韩圜(约50亿美元)。该厂占地面积约56万平方公尺，量产时月产能约2万片12吋晶 圆。
Line-16将是三星继2005年开始营运Line-15厂之后首度兴建的新厂， 随着新厂的动工，三星的内存事业群也将2010年度的设备投资金额由原先的5.5兆韩圜(约48亿美元)，加码到9兆韩圜(约78亿美元)。
三星内存业务投资内容包括新建的DRAM、NAND与下一代内存制造厂Line- 16，也将扩充现有Line-15的产能，用以制造30奈米等级的DDR3；对Line-15厂的产能扩充，估计可让三星的30奈米等级DDR3生产比 例，在今年底提升至10%以上。
此外三星今年也将在System LSI业务方面投资约2兆韩圜(17亿美元)，以因应手机与数字电视等产品对系统级芯片(SoC)的强劲需求，同时也强化其晶圆代工业务。
