IR推出高压D类音频控制集成电路

    全球领先的功率管理技术公司IR近日推出专为每个通道高达500W的D类音频应用开发的200V控制集成电路IRS20124S。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中D类音频放大器的元件数量。

     内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真THD。 IRS20124S内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。

    IR消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型D类音频集成电路来驱动音频MOSFET（如IRF6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进PCB布局，降低EMI和改善热特性。”

    谭先生认为，“D类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，IR专门为开关应用优化的MOSFET和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。”

设计支持

        在IR音频网页http://www.irf.com/product-info/audio/ 可访问相关设计数据表、产品选择指南和D类音频应用笔记的链接。

供货和报价

         新款IRS20124S D类音频高压控制集成电路现已供货。该器件符合无铅和RoHs标准。 IRS20124S为14引脚 SOIC封装，每万件的订货量单价1.50美元，价格会有所变动。产品基本规格如下：


产品编号    封装    偏置
电压    输出
电压    Io+/-    可选的
传播延迟    死区
时间
IRS20124S    14引脚
 SOIC    最大值
200V     10-20V    典型值 1A/1.2A    典型值
 70纳秒    典型值
15/25/35/45纳秒