诺发系统(Novellus)日前宣佈，已经在VECTORPECVD平台上开发出具有晶圆对晶圆间膜厚变异小于2埃的精密抗反射层薄膜(ARL)。新制程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉积工艺技术架构(MSSP)，沉积出的ARL薄膜具有格外均匀的薄膜厚度、折射率(n)和消光系数(K)。这种新薄膜已超越了次32nm微显影的要求，且优于由平行式单平台沉积技术所制造出来的薄膜。
成功控制关键尺寸(CD)的变化量是对32及次32纳米微显影不可或缺的一环。2009年国际半导体技术蓝图(ITRS)中建议总关键尺寸(CD)的变异量应控制在小于1nm，以确保超高性能电路的功能性。如高端相位偏移遮蔽复合光学近端校正的先进的微显影CD控制设备，已成为极其昂贵的投资，以便达到32纳米元件制造的严格CD控制需求。
另外有一个有效且较不昂贵被称为“剂量补偿”的技术被应用来控制微显影技术的变异量，晶圆上特定区域的照射剂量被软体运算所补偿调整，为了确保适当的剂量补偿，这个技术成功的关键在于需要在每一片晶圆上应用可精密控制膜厚及光学特性的抗反射层薄膜。
诺发公司的工程师已经在VECTOR机台上开发出一种新的ARL制程技术，且提供了这些需要使用光谱吸收剂量补偿控制策略的晶圆间有著更一致的效果。新的制程技术，还连结了VECTOR机台本身角度精准度小于0.3毫米，以确保预期的薄膜性质符合32纳米微影技术的需求。
VECTOR的ARL薄膜无论是在晶圆本身或是晶圆与晶圆之间都有较低的差异性，且拥有著晶圆分布的可预测性。相较之下，使用单站机台沉积的ARL薄膜会有极大的晶圆间差异，它将会危及光谱吸收补偿控制策略的制程。
此外，诺发公司的ARL制程只有1.6A的点对点厚度变化，或0.34%的厚度差异。而类似双单站沉积ARL薄膜的厚度差异却达到了7.3A(或是1.5%厚度差异)，误差超过了诺发公司的制程4倍之大。在这本来就已经是双单站沉积形式的机台因素中，这种变化可能过于悬殊去影响到光谱吸收补偿制程的CD控制。
