韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平，2010年将批量生产产品。至此，三家大型CMOS传感器公司均将在2010年之前开始量产采用背面照射技术的CMOS传感器。
背面照射是能够消除CMOS传感器唯一的缺点——灵敏度低的技术。CMOS传感器的光传感器（光电二极管）上面有3层等多层布线层，遮挡了部分入射光，灵敏度比只有1层布线层的CCD传感器要低，只有后者的一半左右。而BSI型CMOS传感器的光传感器上面没有布线层，从光传感器的背面（硅底板侧）采光，能够防止遮挡入射光。
