在个人计算机(PC)成长需求复苏，并持续增长的情况下，市场机构纷纷预测从2010年下半开始到201年，DRAM都会呈现供不应求的情况。目前即使短缺情况明显，全球DRAM的产能在2010年的增加幅度，应不会超过50%，因此要等到2011年才有可能见到厂商大幅增产的动作，因此2011年仍有不小的供不应求机会。
高盛分析，在2009年底原本预估2010年PC出货量年成长率将达12%，但由于市场热络超出预期，该数值遂上修至17%。而PC出货量成长可能让2010年下半DRAM短缺情况更为严重，也让DRAM在2010年的价格、毛利都有上看空间。
需求大增的情况也发生在运用于行动设备的NANDFlash芯片上。由于智能型手机出货量成长强劲，NANDFlash市场在2010年的表现也可望开出红盘。
近来几家内存大厂竞相进行制程转换，以取得较大的产能贡献。目前市场预期只有南韩两大内存制造厂三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、以及台湾的华亚科能如期完成制程转换的目标。除了转进制程的时程表领先其他对手外，三星电子和海力士在DDR3DRAM的制造上，也较其他厂商具有技术优势。
