瑞萨的TTRAM技术可在标准SOI-CMOS技术条件下实现动态的存储单元结构。这个存储单元仅由两个串行连接的晶体管组成，而且无需使用传统存储单元中的金属绝缘层金属电容器。它也无需采用用于电容器特殊掩模组的派生CMOS工艺，而且可以简化片上参考电压源。其存储单元结构在65nm或更高工艺技术条件下仍然可以实现。
瑞萨科技公司系统核心技术部副总经理Kazutami Arimoto博士表示：“我们非常高兴EMT选择了我们的TTRAM技术来开发他们的大容量系统级芯片（SoC）存储器知识产权。用户需要大存储容量的解决方案，同时又不想在面积、性能和功耗方面做出设计妥协。在EMT被授权基于存储器知识产权的TTRAM技术之后，嵌入存储器用户将很快能够受益于大存储容量、经济有效的解决方案，而这在从前只能采用传统的CMOS工艺实现。我们希望，通过将我们的TTRAM技术与EMT优异的存储器编译技术结合在一起，进一步促进SOI存储器应用的增长。”
Emerging Memory Technologies公司总裁和首席执行官Sreedhar Natarajan表示：“SOI CMOS正在从高性能微处理器领域扩展到广阔的CMOS半导体市场。我们认为，世界一流的存储器设计能力与瑞萨成功的SOI无电容器TTRAM技术的结合，将有助于创造出一种采用SOI CMOS的新型半导体解决方案。”
通过在TTRAM技术方面的合作，两家公司将为他们的用户提供一种大存储容量的存储器解决方案，并对存储器知识产权技术的开发做出贡献。
