Spansion扩展与台积电合作 将量产90nm闪存

      闪存解决方案供应商Spansion公司昨日宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。
　 Spansion MirrorBit闪存能够利用一个基于氮化物的存储器件，在一个单元中存储两个独立的电荷。与浮动门NOR技术相比，该技术可以提供一个更加简便的内存单元，其所需要的关键制造步骤也少得多。与传统的浮动门技术相比，MirrorBit技术可以提供更高的产量，并可以更加方便地扩展到更高的容量。
　　根据扩充后的协议，台积电将逐步把Spansion的90nm制程技术引入其专门为Spansion产品开设的生产线。
　　同时Spansion位于得克萨斯州奥斯丁的旗舰工厂Fab 25的90nm MirrorBit产能将于2007年过渡到65nm技术；位于日本会津若松的Spansion JV3生产基地的110nm产能；预计将于2008年中期，在日本会津若松新落成的SP1生产基地投产采用了300mm晶圆的45nm产能。该基地还可以根据市场的需求在2007年开始量产65nm技术产品。
　　Spansion(NASDAQ:SPSN)为闪存解决方案供应商，致力于为无线、汽车、网络和消费电子市场提供数字内容的支持、存储和保护。其前身是一家由AMD和富士通合资的公司。它是全球最大的专门致力于开发、设计和生产闪存产品及系统的公司。