据内存业者透露，由于沉浸式光刻设备的交货日程有所延长，因此南亚，华亚（南亚与镁光的合资厂）两家内存芯片制造商今年转向50nm级别制程节点的计划有 可能会后延.而另一家台系内存芯片厂商瑞晶(力晶与尔必达的合资厂)计划于今年二月份开始的光刻设备导入计划也有可能会后延两个月左右的时间。
而南亚和华亚则澄清称其购买的沉浸式光刻设备将以分期到货的形式进场，并宣称此前进场的设备已经按原计划完成了进货。
按南亚和华亚的计划，他们将于年底前完成向镁光50nm制程技术的转换工作，并将于下半年开始试产40nm制程级别的内存芯片产品。而瑞晶公司则计划于今年第二季度开始启用45nm制程技术制造内存芯片.
最近Gartner公司曾有一份报告指出，由于设备厂商的193沉浸式光刻机供货数量有限，而这种设备又对芯片厂商制程技术升级起着极为关键的作用，因此今年芯片产用于采购设备的支出增长将极为有限，而据原先的预计，今年芯片厂商在设备采购方面的支出将有56.6%的增长幅度。
此外，据光刻机厂商ASML表示，在芯片厂商制程技术升级浪潮的驱动下，该公司接到的光刻机订单数量出现了上升态势。
