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海力士金钟甲:将扩增NAND Flash产能

    海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示,2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品,同时,海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率,并倍增NANDFlash的产能。

    根据研究机构iSuppli资料,2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%,落后三星电子(SamsungElectronics)的35.5%,

    海力士也将增加NANDFlash产能,金钟甲表示,2010年底前海力士计划倍增NANDFlash存储器产能,同时,2010年快闪存储器市场供需将平衡。

    此外,根据韩国研究机构调查,2010年全球个人计算机(PC)需求将成长16.4%,受惠个人计算机需求回升,海力士可望缴出2006年以来最佳的年度获利。

    金钟甲表示,2010年存储器产业表现将相当好,很多因素导致需求增加,然供给的成长幅度有限,将导致整体产业供不应求。

    受惠存储器价格回升,海力士将利用营收好转时减轻债务负担,2010年计划偿付1兆韩元(约8.88亿美元)的债务。海力士目前约拥有7兆韩元的计息债务,金钟甲表示,海力士的目标为偿付显著比率的债务,同时,维持足够资金投资于需要项目。

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