日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘产品中采用了自己设计的 NAND闪存控制器，这种产品在OEM厂商中口碑甚好。去年第三季度，东芝已经开始量产32nm NAND闪存芯片，不过目前东芝所售出的SSD硬盘产品仍以43nm NAND型产品为主力，这样OEM厂商乃至终端客户便无法享受到32nm制程技术带来低成本实惠。
不过东芝近日宣布，他们将开始测试部分采用32nm NAND闪存芯片试制的SSD硬盘产品，并将于本季度推出两种基于这种32nm NAND闪存的SSD硬盘产品系列。预计这两个系列的新产品将于第二季度开始量产，而OEM厂商则有望在节后的返校季节开始上市安装了这类新产品的笔记本等设备。
其中新款SG2 SSD硬盘系列将采用mSATA接口设计（类似于mini-PCIe接口）。峰值顺序读取速度为180MB/s，峰值顺序写入速度为70MB/s。mSATA设计比传统的2.5寸/1.8寸设计更有利于节省空间和降低成本。其中128GB容量的型号在体积上仅有传统2.5寸SSD硬盘的1/7，高度仅有其1/8，功耗方面也大有缩减。目前上网本产品经常使用这种mSATA接口。
另外，东芝第三代HG3 SSD系列硬盘的峰值顺序读取速度则可达250MB/s，峰值顺序写入速度为180MB/s。该系列硬盘将有64/128/256/512GB四种型号，产品可采用9.5mm（厚度）x2.5寸外壳，另外其中128/256GB容量可采用7mmx2.5寸外壳，最后64/128/256GB型号还可以配用1.8寸外壳或更小尺寸的外壳.所有这些硬盘均支持AES数据加密技术。
最后，以上提及的两个系列产品均可支持Windows7的TRIM功能，这种功能可改善SSD硬盘的性能并提升产品的耐久性。
