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瑞萨推出2.4GHz/5GHz双模硅锗MMIC,面向WLAN终端

    瑞萨科技(Renesas Technology)日前宣布推出一种用于无线局域网(WLAN)终端发射功率放大器的2.4GHz/5GHz双模硅锗(SiGe)MMIC HA31010。

    据介绍,HA31010在一个单芯片中集成了一个支持IEEE802.11b/g无线局域网标准的2.4GHz频带放大器电路,以及一个支持IEEE802.11a标准的5GHz频带放大器电路,以提供双模操作。与使用两个分立的2.4GHz和5GHz的瑞萨硅锗MMIC相比,它可以使安装面积减少大约40%。

    HA31010可实现硅锗MMIC(单片微波集成电路)的高增益及据称是业界最低的电流耗散水平,在使用2.4GHz频带时,其功率增益为28dB,电流耗散为130mA;在使用5GHz频带时,其功率增益为24dB,电流耗散为160mA。

    瑞萨利用硅锗CMOS工艺将一个采用MOSFET的切换电路集成到HA31010中,这有助于放大器电路在2.4GHz/5GHz频带之间的切换,并进行传输和接收切换,而无需增加一个外部切换器件。此外,其待机电流非常低,在0.1μA以下,这是其降低功耗的关键。

    为了有效地达到无线局域网设备的低功耗要求,就需要一种可实现通信所需最小输出功率的自动输出功率控制功能。HA31010集成了一个作为实现该功能传感器的输出功率检测器电路,减少了元件数目,同时也缩小了占板面积。

      HA31010封装采用小型表面贴装的24引脚WQFN0404(瑞萨封装代码),尺寸为4.0×4.0×0.8mm。HA31010采用导电银浆材料以改善集成电路芯片裸片焊接的可靠性和传导率;此外,封装电极镀层采用了Sn-Bi(锡铋),以实现完全的无铅封装。

    HA31010样品计划于2006年6月从日本开始供货,日本市场价格(包括税金)为315日元。

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