日刊工业新闻报导，由于扩展应用范围及降低成本不易，尔必达(Elpida)计划停止研发相位变化随机存取存储器 (PRAM)。
尔必达监于30纳米技术已是DRAM产品细微化的技术极限，遂转而研发PRAM，甚至已送样容量为128MB的产品，然尔必达社长本幸雄认为PRAM成本很难降到比Flash低，且应用范围难以扩大，故决定停止研发该产品。日后研发重心将转至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技术。
尔必达于2009年内已开始量产40纳米技术DRAM产品，紧接著将朝矢量产30纳米技术DRAM产品迈进。
