台积电(TSMC)新推出模组化BCD(Bipolar,CMOSDMOS)製程，将可為客户生產高电压之整合LED驱动积体电路產品。新製程提供12V~60V的工作电压范围，可支援多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等。
新的製程横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数位核心模组可供选择，适合不同的数位控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttle共乘试製服务，支援0.25微米与0.18微米製程的初步功能验证。
藉著新製程所提供的多项整合特色，可减少系统產品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合，降低零组件数目外，其他可被整合的零组件还包括：高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zenerdiode)等，也可降低外部零组件数，并显著地缩小电路板的面积。
DMOS製程支援专业积体电路製造中领先的汲极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如：对一特定的60VNLDMOS元件，当BV>80V时，其Rdson為72mohm-mm2)以及其高电流驱动能力，可藉由元件尺寸的最佳化来提昇功率效能；强固的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更為理想；更多详细的特性分析亦可作為有用的参考，使IC设计能达到最佳的晶片尺寸及设计预算。
在COMS方面，5V工作电压能支援类比脉衝宽度调变器(PulseWidthModulationcontroller)的设计，而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心，则通用於较高层次的数位整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，亦可提供强化的数位程式设计使用。
台积电工业电子开发处刘信生处长指出，就驱动元件整合来说，新的LED驱动IC之BCD製程是非常尖端的技术，其相关的製程设计套件(PDKs)强调高度精準的SPICE模型，提供单晶片设计更多的方便性。除此之外，MismatchingModel可协助提昇目前在多通道LED驱动器设计上的精準度。
