12月14日消息，据国外媒体报道，据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元（约20亿美元），比2009年的资本开支增加一倍。
这项开支有1.5万亿韩元（大约13亿美元）用于DRAM内存生产，剩余的8000亿韩元（约7亿美元）用于NAND闪存和逻辑芯片的生产。
这篇报道引述消息灵通人士的话说，海力士看到了1GB DDR3内存的需求超过了预期。这篇报道还预计海力士在2010年将在全球DRAM市场扩大领先于日本的Elpida公司的优势。
