此外，富士康还5月28日提出两项LED专利申请，范围包括使用InGaN或AlGaAs作为活性层、单量子阱或多重量子阱层。富士康LED与一般LED外延结构差别于，前者活性层两侧？限层掺杂了直径20-200 nm纳米微粒。
发明人陈杰良（Ga-LaneChen）为鸿海集团首席技术官，他专利申请书指出，掺入纳米微粒可以氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO）、GaO、AlN或氮化硼（BN），将有助于改善LED裸晶芯片质量。专利写道，纳米微粒可以改变n型与p型限层晶格常数 （latticeconstant），进而减少晶格应变。通过减小应变，n型限层上沉积活性层以及活性层上沉积p型？限层时，可以降低晶格错位（dislocations）产生机会。此外，晶格应变减小也会使活性层与？限层间应力降低，进而改善量子效率。
