12月1日台系DRAM厂近期在产能大幅扩充，使得供给大幅增加，也促使1Gb容量DDR2eTT芯片低价跌破2美元关卡，在这次的DRAM价格回档中，eTT芯片跌幅较品牌芯片深很多，品牌芯片的价格则维持在2.4~2.5美元之间，然12月合约价恐有往下的压力。
近期eTT芯片供给大幅增加，价格也出现相当程度的压力，1Gb容量DDR2eTT芯片价格展开2美元关卡保卫战，日前低价部分已跌破2美元，显现eTT芯片市场再度出现压力，而平均价格则还维持在2美元之上。
内存业者表示，台厂在进入现金流入之后，开始大幅增加产能，因此使得供给大幅增加，又遇上传统淡季时分，使得DRAM价格承受一定程度的淡季压力，eTT芯片率先回档。
台系DRAM厂中，增加投片量的业者包括华亚科和南亚科，前者投片量拉升至10万片，距离满载产能13万片还有一步之遥，南亚科目前产能也约1万~1.5万片水平，而力晶目前也是全产能10万片投片，包含代工和标准型DRAM产品，茂德的投片量也从70~80%拉升至90%水平。
目前台系业者投片量以DDR2为主，因此DDR2供给量也大幅增加，过去称霸eTT市场的力晶，2009年上半受到财务危机的影响，大幅减产降低产出，但现在也开始积极回来生产，力晶也再度重拾eTT市场霸主的地位，但也让eTT因为供给增佳的因素，价格遇到回档的压力。
此外，除了现货价格受到供给增佳的因素，率先面临回档压力外，合约价格也开始小幅回跌，市场预计12月合约价下跌的机率相当高，惟幅度预计是小跌，反映整个市场将走入传统淡季。
