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力晶第4季DRAM产出大跃进 季增率挑战30~40%

    台系DRAM厂为抓准DRAM价格复苏的时间点,开始大量增加投片量,其中力晶增产的幅度将居冠,传出第4季位元成长率将较第3季明显大增 30~40%,力晶11月出货量大幅成长,也将反映在11月营收上,出现大幅度成长;再者,除了DDR2芯片外,力晶也开始增加DDR3芯片产出,台厂正缓慢步入DDR2和DDR3交接期。

    台厂2008年底开始进入长达3季的减产,随著DRAM价格在奇梦达(Qimonda)退出市场后,由供过于求逐渐走向供给平衡,因此缓步开始增产,尤其在营运开始产生现金流入后,增产的速度加快,现在力晶是全产能投片,而华亚科目前单月产能为10 万片,距离12寸晶圆厂满载产能13万片还有一段差距,主要是保留产能作为制程转换之故。

    南亚科近几个月投片量递减,全力专注转制程到68奈米和50奈米制程,因此产能不如预期大幅增加,保留实力到2010年。而这一波存储器景气复苏,力晶的12寸晶圆厂的增产幅度则最大,居所有台厂之冠,由于短期内力晶也不会转进50奈米制程,因此致力于加速增产。

    日前市场传出,力晶在12寸晶圆厂的产能全开下,第4季位元成长率将高达30~40%,11月营收也将反映产能增加而大幅度跃升,发言人谭仲民则表示,的确逐月在回复投片量当中,但实际第4季位元成长率,目前无法公布,而目前旗下12寸晶圆厂视满载投片的状况。

    再者,力晶除了增加DDR2芯片投片量之外,也开始转投部分产能到DDR3芯片上,缓步进入新旧产品世代交替。整体来看,目前台厂的主力产品仍是DDR2芯片,部分产能开始转投DDR3芯片,而国际大厂DDR3芯片产能比重相对较高,早一步走入世代交替期。

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