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2010年日本仍居全球fab产能的领导地位

    按照SEMI的全球fab预测统计,日本的全球fab产能(包括分立器件)在2010年时与2009年相比仍未改变,达每月380-390万片(200mm硅片计),或者占25%的全球硅片总产能。并同时预测日本在2010年时仍居首位。

    日本在前端半导体中的投资在2009年达20亿美元,而在2010年時可能增加70%,达30亿美元。其中主要都是在300mm的存储器fab。

    到2010年日本预计有11个设施要添加设备,其中7个是300mm。从2008年起日本新增300mm量产的生产线与台湾一样多。

    受全球金融危机影响导致NEC电子和Renesas宣布合并,于2010年4月1日正式生效。新公司将从产能上翻倍及占到日本总产能的12-13%。从规模上合并后公司的产能是东芝的一半(包括与Sandisk及SONY的合资企业),而东芝在2009年占日本总产能的25%及2010年时的27%。

    从2009及2010年在日本最大的设备消费者是Elpida、Fujitsu、NEC电子和东芝的闪存联合体与SONY的联合体。

    从2009年6月开始东芝采用全球股票价值达30亿美元来集资,表示在过去8年来一家非财务公司在日本的最大股票集资计划。东芝将继续投资NAND闪存,并扩大与IBM的合作关系,或将开始新一轮的与三星在NAND专利方面的争端。

    东芝计划在2009到2011的三年期间总投资达11000亿日元(115亿美元)。东芝有49%的产品是由电子仪器及元件构成,总计在09至11年间投入达56.5亿美元。它计划09年半导体投资9.4亿美元,余下的47亿美元在2010及2011年中,或者可能是2010年投资20亿美元。

    尽管现在投资半导体业者越来越少,然而日本仍居全球安装产能的领先地位。但是随着NEC与Renesas的合并,在日本也越来越少的公司投资扩大产能。

    SEMI的全球fab预测将提供高水平的总结及在投资,产能,技术和产品的深度分析。并能预测未来18个月按季度的趋势。

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