赛普拉斯半导体日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)系列，以及新的拥有集成实时时钟(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。
赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。nvSRAM对于要求绝对数据非易失安全性的应用来说是理想的选择，如RAID系统、工业控制和自动化(如PLC，马达控制、马达驱动和机器人)、单板计算机、POS终端、电子抄表、汽车、医疗和数据通信系统。
串行nvSRAM系列包括拥有多种配置和标准SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN 和 16-pin SOIC小尺寸封装，工作频率最高可达40MHz。其中一款产品还集成了RTC。
赛普拉斯的并行nvSRAM的存取时间可达20纳秒，读、写和取回次数是无限的，数据最长可以保存20年。新的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM集成了一个RTC，从而能够为重要数据打上时间标记以便备份，同时还提供了可编程报警功能和看门狗时钟。欲了解更多关于赛普拉斯nvSRAM产品系列的信息。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“我们新的串行系列产品扩充了我们业界领先的nvSRAM产品系列，满足了高可靠、工业标准、少管脚封装的要求。同样，在nvSRAM中集成实时时钟也使得我们的产品能够应用于原先采用BBSRAM的市场。”
赛普拉斯的nvSRAM兼容ROHS，且可直接替代SRAM、电池供电的SRAM(BBSRAM)和EEPROM器件，无需电池即可实现数据的快速非易失性存储。断电的时候，数据会自动从SRAM传输到器件的非易失性单元中。而当供电恢复时，数据则从非易失性存储单元恢复到SRAM中。这两种操作也可由软件控制。nvSRAM减少了板级空间，降低了设计复杂性。
作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯正在其下一代PSoC?混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中采用S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并具有多种优势，例如高可靠性、低功耗、抗辐射。此外，与其他基于磁或铁电的非易失性存储器技术相比，SONOS技术更可靠，更易于生产，更容易扩大产能。
