全球首座3DIC实验室预计将在明年中登场期间，台湾工研院与美商应用材料公司(Applied Material)宣布进行3DIC核心制程的客制化设备合作开发。这个弹性的开放制程平台，将整合3DIC的主流技术硅导穿孔(Through-silicon Vias，TSV)制程流程，缩短集成电路及芯片开发时间，协助半导体厂商迅速地将先进芯片设计导入市场，进而大幅降低初期投资。
台湾工研院主导的3DIC实验室将建构完整及多样化的制程能力，整线系统包括蚀刻、实体气相沈积、化学机械研磨及电浆强化化学气相沈积四大设备，这新设备将会用来制造与硅导穿孔(TSV)技术相关的集成电路。
台湾工研院与应用材料公司将针对先钻孔、后钻孔以及显露钻孔的硅导穿孔(TSV)制程流程做技术整合，提供最小线宽的蚀刻、最快速度的沈积、最稳定的制程研磨设备，协助联盟的会员厂商迅速地将先进的芯片设计导入市场，进而大幅降低开发时间及初期投资。
台湾工研院院长李钟熙表示，以往我国半导体产业设备仅自行开发后端零组件，前端设备多为进口，此次在3DIC开发初期就有设备开发厂商投入，表示我们在前端设备就能掌握相关制程技术，可以为台湾地区半导体厂商主导3DIC关键制程，并为半导体产业展开另一波机会。
台湾工研院并表示，与应用材料公司合作，将有助于硅导穿孔(TSV)技术的效能精进，并降低成本，带动国内外3DIC相关产业加入，加速台湾地区在3DIC自主制程技术开发，先期掌握3DIC制程关键技术，提升台湾地区半导体产业竞争优势。
