国际半导体展(SemiconTaiwan2009)的3DIC论坛近日热闹展开，日月光集团研发处总经理唐和明再次强调未来3年后3DIC技术将会进入成熟阶段，3D系统级封装(SiP)和3D系统单芯片(SoC)可望相辅相成。很多封装方式可以藉著矽穿孔(ThroughSiliconVia；TSV)降低成本、增加传输速度，研究机构Gartner预估TSV全球产值到2013年可望达到140亿~170亿美元，届时将有5~6%的全球装置采用。
在1日的3DIC前瞻科技论坛中，现场座无虚席，显示不少业界人士对于先进的封装技术相当有兴趣。担任开场演讲的日月光集团研发处总经理唐和明表示，过去几年来，3DIC的技术发展迅速，现今3DIC的时代已经来临，包括镜头模块用影像传感器已导入3DIC，并开始量产，预期未来到2012~2015年此技术将会扩及到CPU、基频IC、手机芯片IC等领域，在此3年内3DIC的技术将会进入成熟阶段。
唐和明表示，随著消费性电子产品走向轻薄且功能复杂化，但晶粒的设计却不能无限放大。以台北信义区土地为例，在有限的土地面积上，可以兴建101的世界高楼，3DIC的设计就是立体堆叠的概念。把晶粒磨得很薄之后，在上面放上1、2颗的IC，可达到体积缩小、功能放大的效果。随著摩尔定律放缓，SoC技术会继续走下去，而SiP应用也会愈來愈多，2者会相辅相成。
随后接棒发表演说的Gartner半导体研究的首度分析师MarkStromberg表示，有很多封装设计可以藉TSV以达到最佳电讯传输效率。结合TSV技术在晶圆厚度方向的优点，3DICSiP封装技术不仅产品上市时间快于SoC，也可提供与SoC互相搭配的封装解决方案。
Stromberg并预估TSV到2013年的全球产值约140亿~170亿美元，占全球装置市场的比重约5~6%，其中到2013年存储器应用TSV的产值约40亿~50亿美元。目前采用TSV最大宗的装置应用为微机电(MEMS)和影像传感器，预期到2010年采用范围可以扩大至DSP、NANDFlash、DRAM、RF和通讯IC等，2011年将可延伸到绘图芯片、电源供应器和功率放大器等。
Stromberg认为，TSV目前仍面临多方挑战，包括测试、3DCADTools、材料、设备等，但这也是另一波的商机。他预估TSV设备2013年产值约为12亿美元。
