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成大团队研发氮化铝新技术,LED产业可望受惠

    成功大学黄煌煇副校长领军的「创新产学平台跨领域计画」研究团队,昨日与金铝公司签约,双方投资新台币3,000万元,以技术入股的方式由成大佔有18%之技术股权,预估未来10年可获得衍生利益金约新台币一亿元。

    随着LED亮度的增加,现有氧化铝基板逐渐无法负荷热能,而氮化铝具高热传导率,使用于高功率或超高功率的LED散热基板效果卓越,然价格昂贵并没有广泛的被市场接受,而且过分依赖国外进口。此次成大与金铝公司合作量产的氮化铝合成技术,是由化工系教授钟贤龙研发而成,目前技术已经到可以商业化量产,在国内外已获得多项专利。

    钟教授实验室的创新技术,是将铝粉置入低温容器(铝箔制)中,在反应进行时直接转变成氮化铝产物,没有容器污染或如何自容器取出产物的问题。此一合成技术转化率可达99.9%以上,产物纯度高,且工艺简单、易于放大量产等诸多优点。氮化铝耐化学侵蚀、耐热震、导热性佳且不亦受冷热影响,适用于各种不同的产业,目前主要应用在IC与LED封装方面,其中最受瞩目的就是LED封装材料和陶瓷基板。

    LEDinside表示,如果国内氮化铝能顺利量产,新工艺将有效降低成本,LED产业可望受惠,并提升高功率LED于照明领域应用的能见度。

热门搜索:2839224 PDU2430 602-15 TLM825GF 2856032 B3429D BSV52R 2320351 UL800CB-15 2838283 PS2408 01C1001JF 2320296 UL603CB-6 2866666 BT05-F250H-03 TRAVELER3USB PDU12IEC 01M2251SFC3 BTS412B2E3062A 2811271 BT137S-600D118 BTS410F2E6327 01C5001JF SBB1002-1
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