作为继硅之后的新一代功率半导体，GaN类功率半导体元件（以下简称GaN类功率元件）和SiC都曾备受期待。虽然GaN类功率半导体元件在实用化方面落后于SiC，但将于2011年投入市场。富士通将在该公司服务器的电源开关元件中采用GaN类晶体管。富士通以前曾多次在学会发表有关GaN类功率元件的开发情况，但明确公布具体用途和投产时间还是第一次。
GaN类功率元件能够抑制导通损耗和开关损耗，因此应用于电源电路时，能够大幅减少电力损耗。但由于在成本和电气特性等方面还存在课题，因此晶体管的实用化一直没有结果。
此次，情况有了巨大改观。因为出现了准备把GaN类晶体管作为一项业务的厂商。首先，富士通研究所计划到2011年下半年，将GaN类HEMT和肖特基二极管（SBD）提高到能够配备于电源电路的水平。计划2012～2013年开始量产 注1）。将供货常闭型GaN类HEMT，首先应用于富士通的服务器电源装置，然后扩展到笔记本电脑的AC适配器。据富士通研究所估算，服务器的电源电路使用GaN类HEMT与使用硅晶体管相比，电力损耗可降至约1/3。
