9月15日，由中芯国际与武汉新芯共同举办的“2009年技术研讨会”首次在武汉举行，此次研讨会上中芯国际披露了其最新技术路线图，并介绍了武汉新芯的最新进展和未来规划。
据中芯国际市场行销副总李伟博士介绍，中芯国际65nm逻辑技术在2009年第三和第四季度实现量产，45nm逻辑有望在明年第二和第三季度量产，而32nm逻辑计划于2011年第三和第四季度量产；而混合信号产品量产将会有所滞后，65nmMS/RF预计在2009年第三和第四季度实现量产，45nmMS/RF计划于次年的第三和第四季度量产。另据李伟透露，中芯65nm LL工艺正在试生产，65nm G工艺在今年的第三季度也已准备就绪，45nm LL工艺将在今年10月开始接受客户Tape-out。
武汉新芯总裁王继增在开幕致词上介绍了武汉新芯自去年九月正式投产后所取得的成绩。据王继增介绍，因晶圆代工景气回升，产能需求增加，目前90nm产品线月产能3000片已经满负荷运转，预期还有多笔订单会陆续进来。武汉新芯到2010年底计划产能达10000片，2011年底达到20000片。
王继增同时表示，目前武汉新芯生产制程包括90nm至43nm的存储芯片和闪存产品，未来将根据市场需求，进一步发展先进制程生产能力，并考虑在合适的时机引进先进的逻辑产品制程技术。目前武汉新芯已拿到一些技术许可，前期生产将会以闪存为主，逻辑所占比例将逐渐扩大。
针对外界关心的运营现况，王继增表示，与客户飞索公司的合作关系稳固，包括43nm技术的移转，还有一个大型工作团队正在努力进行65nm的生产产能验证资格，为明年2010年第二季度的合作量产做好准备。为此，武汉新芯近来大量招聘工程师及线上作业人员，同时还提升了员工福利，留住员工的心，8月底已发放一笔激励奖金，并已全面恢复季奖金制度。
中芯国际一年一度的技术研讨会往年只在上海﹑北京﹑深圳等地举行，今年首次在武汉举办。来自中芯国际的技术专家团队，主讲最新热点技术及设计服务，吸引了当地半导体相关厂商、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商。
