一个细小的网格图形让美国国家标准和技术研究院（NIST）和俄罗斯凝聚态物理研究所的材料学家在用于数据存储的电磁纳米结构上取得意外的发现。
该研究组正在研究纳米级别的结构，这种处于材料中的薄夹层有着不同的磁特性。该结构已经被研究了十多年，因为它们有着不寻常和非常有价值的磁特性。现在硬盘上的数据读取头通常使用巨磁阻效应，就是利用了这种层状结构。
NIST的冶金学家Robert Shull很留意覆盖在铁磁性材料的薄层，在那上面，电子的磁方向或自旋趋向于一个相同的方向，而一个反铁磁性层上的电子自旋则趋向于一个相反的方向。这个层使铁磁体偏向于易磁化方向，从根本上将磁场固定在一个特定方向。在磁致电阻的读写头上，固定的薄层会作为一个参考方向，传感器用它来探测磁盘上的读取区域有无发生变化。不过，研究者已经非常清楚这种磁钉扎效应是一个短距离现象，只能在铁磁层上垂直向下延伸几纳米。
通过观察侧面的方向，NIST/ISSP小组开始研究覆盖了一个很薄磁性薄膜的硅晶圆，其上有一个10nm厚、10μm宽的反磁性网格带，间隔为100μm。不出所料，在网格带下的铁磁性物质显示了钉扎效应，但非常意外的是，网格带之间的未覆盖铁磁体物质也显出了这种效应。这种效应垂直向下延伸了10～50nm，是预想效果的1 000倍。这一发现也许将会改变这种结构的堆积密度。
